引言

在2025年6月12日的投资者日演示中，Besi团队全面阐述了公司如何通过技术创新和战略聚焦，引领人工智能（AI）驱动的先进封装革命。随着生成式AI的加速发展和超大规模数据中心持续投入资本支出，先进封装技术已成为实现高性能、能效计算的核心驱动力，覆盖从数据中心到边缘设备的广泛场景。Besi作为行业领导者，其约70%的设备收入源自先进封装领域，尤其是精度低于7微米的芯片贴装解决方案，这为公司在新兴的AI芯片市场中奠定了坚实基础。

全球半导体行业正迎来一场深刻的变革：摩尔定律的放缓推动小片（Chiplet）和3D集成电路（3DIC）技术的快速普及，混合键合（Hybrid Bonding）和下一代热压键合（TCB Next）技术因能显著提升互联密度和能效表现而成为关键增长点。Besi预计，到2030年，混合键合市场规模将达约350台设备（中位情景），而TCB Next技术将解锁新的应用潜力，尤其是在高带宽内存（HBM）和光子学领域。这些趋势正驱动全球约1000亿美元的投资涌入先进封装工厂建设，包括台积电、三星、英特尔和SK海力士等巨头的重点项目，为Besi提供了广阔的扩张空间。

以下是对报告内容的梳理总结——————————————

一、行业背景与 Besi 核心机会

1、半导体先进封装行业增长拐点显现

1.1 人工智能（AI）的扩张持续推动先进封装技术的采用，生成式 AI 加速发展，超大规模企业维持高额资本支出，从云端到边缘计算的新应用场景不断涌现。

1.2 2026-2030 年，逻辑、存储、消费电子及 I/O 领域的先进封装创新将加速，先进封装是实现 AI 潜力的关键差异化因素之一，可助力数据中心实现高能效性能及新型消费级边缘 AI 设备发展。

1.3 组装环节处于重大增长拐点，AI 的发展需要新型 2.5D/3D 组装解决方案以延续摩尔定律，领先逻辑厂商已进入 3D 混合键合设备的早期商用生产阶段，用于数据中心 CPU 和 GPU。

2、Besi 的市场定位与核心优势

2.1 业务结构聚焦高增长领域，约 70% 的设备收入来自先进封装，约 50% 的设备收入来自先进芯片贴装（定义为精度 < 7 微米），且约 50% 的收入与 AI 相关。

2.2 市场份额领先，2024 年在芯片贴装（Die Attach，不含 TCB、引线键合等）市场占据 40% 份额，在先进芯片贴装（精度 < 7 微米）市场占据 78% 份额。

二、全球先进封装市场趋势与增长动力

1、市场规模与增长预测

1.1 2.5D/3D 封装为增长最快的细分领域，2024-2028 年复合年增长率（CAGR）达 18.9%，其他先进封装领域同期 CAGR 为 7.8%。

1.2 芯片级（Chiplet）应用预计快速增长，2024-2033 年 CAGR 达 48.1%，成为异构集成的核心方案。

1.3 混合键合（Hybrid Bonding）与无 flux 热压键合（TCB Fluxless）为核心增长点，2030 年混合键合市场规模预计为 16.5 亿欧元，无 flux TCB 市场规模预计为 4.5 亿欧元；其中混合键合预计成为 2030 年最大的组装细分领域。

2、全球先进封装工厂投资布局

2.1 全球范围内先进封装工厂相关投资约 1000 亿美元正在推进或计划中。

2.2 重点项目包括：

2.3 其他主要项目涵盖三星、美光、日月光（SPIL）、通富微电（TFME）等企业在亚洲、北美、欧洲的布局，涉及 CoWoS、SoIC、HBM 等先进封装技术。

3、下游应用驱动

3.1 数据中心 AI 芯片：AMD 的 MI325 GPU 采用 CoWoS-S（混合键合）、Zen5 EPYC CPU 采用 SoIC（混合键合）；NVIDIA 的 B100（Blackwell）GPU 采用 CoWoS-L 封装、Spectrum X 网络交换机采用 CoWoS-S（混合键合）；Intel 的 Clearwater Forest 数据中心 CPU 采用 Foveros Direct（混合键合），实现 3D 堆叠。

3.2 高端存储器：HBM4/5 需采用混合键合与 TCB Next 等最先进工艺，HBM4e 预计 2026 年推出，采用 16 层堆叠；HBM5 预计 2028 年推出，堆叠层数≥20 层，互连间距 < 15μm，且从 HBM4 开始，基底芯片将采用≤4nm 先进制程逻辑芯片。

3.3 消费电子：生成式 AI 智能手机市场 2024-2028 年 CAGR 达 41.4%，需采用 2.5D 和 3D 芯片级组装技术（包括混合键合、TC Next）；PC、平板等设备中，AMD Ryzen、苹果 M5 等芯片将采用混合键合芯片级互连方案，满足边缘 AI 对能效与性能的需求。

三、晶圆级组装技术与 Besi 产品布局

1、核心技术方向

1.1 混合键合（Hybrid Bonding）：作为高性能互连技术，支持 <10μm 键合间距，是实现 3D 芯片设计以延续摩尔定律的关键。其互连密度、速度、带宽密度、能效性能分别为微凸点热压键合（TCB C2W）的 15 倍、11.9 倍、191 倍、>100 倍，而单位互连成本仅为微凸点的 1/10。Besi 的混合键合系统精度达 50nm，8800 CHAMEO UltraPlus AC 支持 6μm 键合间距，2026 年推出的 8800 HYBRID G2 将实现 50nm 精度以支持更小焊盘间距，计划到 2030 年实现 1μm 焊盘间距的晶体管级互连。

1.2 下一代热压键合（TC Next）：作为衔接传统热压键合与混合键合的技术，支持 7-20μm 键合间距，精度达 0.7μm，UPH（每小时产量）高达 2000，具备微惰性腔室和等离子体氧化还原的无 flux 能力，可通过实时过程控制优化焊点质量，适用于中高端逻辑与存储器组装。

1.3 2.5D/3D 集成方案：支持 CoWoS-L/R 结构评估、共封装光学（CPO）与混合键合结合等，适配高堆叠层数（≥16 层）的 HBM、光子学组件等应用场景。

2、产品组合与迭代计划

2.1 混合键合系统：包括 8800 CHAMEO UltraPlus AC（当前行业标准，精度 25nm 及以上）、8800 HYBRID G2（2026 年推出，50nm 精度，显著提升 UPH 以降低 HBM 成本，计划向 25nm 及更高精度演进）。

2.2 热压键合系统：9800 TC NEXT，具备高 accuracy、高产能及无 flux 能力，支持下一代 AI 设备的 HBM 堆叠与中端逻辑芯片级组装需求。

2.3 配套解决方案：包括用于芯片级成型的 xMS-NXT、光子学组件贴装的 2200 evo 1μm（2026 年推出）、中介层贴装的 2200 evo Advanced 等，形成复杂 AI 芯片级封装的完整解决方案。

3、市场潜力与应用场景

3.1 逻辑芯片：2025-2030 年混合键合设备累计需求预计 960-2000 台，AMD、Intel、Broadcom 等企业已在数据中心 CPU、GPU 及定制 AI ASIC 中采用混合键合，如 Intel Clearwater Forest CPU 通过混合键合实现 3D 堆叠，总晶体管数达 3000 亿。

3.2 存储器：HBM4/5 推动混合键合与 TC Next 应用，2026 年将出现混合键合的 16 层高堆叠 HBM4e，2030 年多数投资聚焦≥16 层堆叠的混合键合技术；2025-2030 年 HBM 领域混合键合设备需求较 2024 年预测增长 33%。

3.3 共封装光学（CPO）：NVIDIA Spectrum-X、Broadcom Tomahawk 6 等交换机产品采用混合键合连接光子 IC 与电子 IC，2025-2030 年 CPO 领域混合键合设备累计需求约 60 台，可实现光链路 80% 能耗节省。

3.4 消费电子：智能手机、AR 眼镜等设备中，混合键合与 TC Next 用于先进芯片级互连，2024-2030 年移动与消费领域 3D SoIC 设备数量预计达 3 亿台，推动混合键合在边缘 AI 应用中的普及。

四、主流芯片贴装（Die Attach）市场与 Besi 竞争力

1、市场规模与增长预测

1.1 Besi 主流芯片贴装可寻址市场（不含 TCB、混合键合、芯片分选、LED）预计到 2030 年将增长至 148 亿美元，较 2024 年的 66 亿美元实现翻倍，2024-2030 年复合年增长率（CAGR）为 15%。

1.2 各细分市场增长显著，计算领域 CAGR 27%，汽车领域 CAGR 33%，工业领域 CAGR 36%，无线通信、消费电子等领域同步增长，增长动力来自 AI 训练工作负载激增、推理需求扩大、生成式 AI 及边缘 AI 应用推动等。

2、产品组合竞争优势

2.1 在光子学和 CPO 领域具备最高精度，领先的大尺寸 AI 中介层贴装及先进相机模块工艺能力。

2.2 在汽车功率应用中拥有领先的软焊工艺（氧含量、气体消耗控制）及独特的扩散焊工艺。

2.3 在 2.5D CoWoS 组装中实现最高精度的芯片到晶圆（C2W）贴装，在 BGA、CSP 及无铅倒装芯片贴装中为高效能工具标杆，针对相机模块推出定制化高速解决方案。

2.4 在环氧芯片贴装中具备行业领先的精度和速度，满足移动及汽车功率、传感器应用的严格环氧控制要求。

3、核心增长场景

3.1 2.5D 先进封装（CoWoS）：2024-2030 年营收 CAGR 17.0%，Besi 通过 8800 Chameo advanced/TnR（3μm 贴装精度，高速倒装芯片贴装）、2200 Evo advanced（支持 110mm×110mm 大尺寸芯片倒装）及 2026 年推出的 8800 Chameo Flex（1μm 贴装精度，高产能集成方案）抢占市场。

3.2 光子学：数据中心扩张推动光 transceiver 需求增长，Besi 为光 transceiver 组装领域的领先企业，2026 年推出 1μm 精度系统（替代有源对准）以提升市场份额，光链路可实现最高 80% 能耗节省。

3.3 边缘 AI 设备：生成式 AI 智能手机 2024-2028 年 CAGR 41.4%，AR/VR 设备同期 CAGR 31.2%，Besi 解决方案覆盖移动 AP、GPU、传感器、相机模块等应用，受益于高端智能手机内容升级及汽车电子含量增加。

五、Besi 2025-2030 战略计划与实施路径

1、战略计划更新背景

1.1 基于 16 周的流程制定，涉及高级管理层、客户及其他关键利益相关者，确立了收入与成本削减目标。

1.2 明确多重长期增长驱动因素：AI 部署及应用场景在主要终端市场的扩展；芯片级（Chiplet）异构集成采用率提升；<3nm 节点尺寸下混合键合（HB）与 TCB Next 采用率增加；先进封装工厂投资增加。

1.3 已规划产能与人员配置以满足增长预期。

2、长期市场机会与增长预期

2.1 2024E 至 2029E 市场规模预计增长 63%（2024E 为 51 亿欧元，2029E 为 82 亿欧元），2024-2026 年预计增长 25%，2024-2029 年预计增长 63%。

2.2 长期增长趋势明确：AI 及应用场景扩展；所有终端市场的先进封装增长；2024-2029 年组装环节增长显著。

2.3 Besi 预计将显著超越组装设备市场的整体增长率。

3、目标模型更新

3.1 长期收入目标：从原 “10 亿欧元以上” 上调至 “15-19 亿欧元”。

3.2 可寻址市场份额：维持 “40% 以上”。

3.3 毛利率：从 “62-66%” 上调至 “64-68%”。

3.4 营业利润率：从 “35-50%” 上调至 “40-55%”。

3.5 可持续发展目标：维持 “2030 年实现范围 1&2 温室气体净零排放” 及 “100% 使用可再生能源满足全球能源需求”。

4、关键收入增长驱动因素

4.1 混合键合：逻辑领域采用扩展（异构芯片级集成、数据中心、边缘 AI、CPO）；消费应用扩展（移动、PC、可穿戴设备、AR/VR）；存储器采用（HBM4/5）；通过与应用材料公司的集成生产线提高市场渗透率。

4.2 TCB Next：从芯片到基板向芯片到晶圆过渡（领先制程）；在 HBM4 及先进 CoWoS 应用中使用扩展；具备显著的市场份额提升潜力。

4.3 先进 2.5D / 主流市场：通过下一代多模块及倒装芯片系统，提高在光子学、智能手机、功率模块及移动存储器市场的渗透率；移动领域创新（先进相机、传感器、AP 封装、手机形态）；封装环节（芯片级成型与切割、SiC 及 GaN 功率器件成型）；电动汽车及自动驾驶领域。

4.4 备件 / 服务：随亚微米芯片贴装装机量扩展而增长。

5、关键运营目标

5.1 毛利率：目标削减成本 1500-3000 万欧元；通过通用部件、平台及模块实现进一步设计效率提升。

5.2 运营费用：投资研发与服务 / 支持以支撑亚微米芯片贴装增长；将一般及行政管理（G&A）费用增长限制在通胀率水平。

5.3 运营：根据客户路线图扩展在东南亚及印度的布局；提升洁净室能力。

5.4 可持续发展：2030 年实现温室气体净零排放；100% 使用可再生能源满足全球能源需求。

6、资本配置与流动性

6.1 流动性状况：截至 2025 年一季度，现金及存款为 6.857 亿欧元，净现金为 4.36 亿欧元，具备充足资金支持增长。

6.2 股东回报：2011 年以来累计分配 22 亿欧元（约占累计收入的 33%）；2025 年一季度累计分配 2210 万欧元；当前 1 亿欧元股票回购计划已回购 5140 万欧元；库存股占总股本的 2.0%。

6.3 融资支持：1.977 亿欧元可转换债券（混合利率 1.74%）；3.5 亿欧元 2031 年到期的 4.5% 高级债券；8000 万欧元循环信贷（可扩展至 1.36 亿欧元）。

六、行业展望与 Besi 竞争壁垒

1、先进封装行业未来发展展望

1.1 行业增长动力持续强劲，组装环节处于重大增长拐点，AI 扩张推动先进封装技术在数据中心、边缘设备等全场景渗透，2024-2029 年组装设备市场预计增长 63%。

1.2 摩尔定律放缓加速芯片级（Chiplet）与 3D IC 的采用，客户通过混合键合与 TCB 等技术优化器件功能、降低成本，2024-2033 年芯片级市场复合年增长率达 48.1%。

1.3 混合键合成为高性能、高能效计算的首选技术，与 TC Next 预计为未来 5 年增长最快的组装领域，在逻辑、共封装光学（CPO）、存储器及消费电子中涌现新应用场景，2030 年混合键合市场潜力较 2024 年预测提升 7%。

1.4 全球先进封装工厂投资活跃，约 1000 亿美元投资正在推进或计划中，TSMC、Intel、SK Hynix 等头部企业主导的 CoWoS、HBM、SoIC 等项目将支撑行业长期增长。

2、Besi 的核心竞争壁垒

2.1 技术领先性显著，在混合键合领域，8800 CHAMEO UltraPlus AC 为当前行业标准，精度达 25nm 及以上，2026 年推出的 8800 HYBRID G2 将实现 50nm 精度并向 25nm 演进；TC Next 技术支持 7-20μm 键合间距，精度 0.7μm，UPH 达 2000，具备无 flux 能力，技术指标领先行业。

2.2 市场份额优势突出，2024 年先进芯片贴装（<7 微米精度）市场份额 78%，芯片贴装（Die Attach）市场份额 40%，覆盖 AMD、NVIDIA、TSMC、Intel 等全球顶级半导体企业。

2.3 产品组合完整，布局混合键合、TC Next、2.5D/3D 集成等全系列解决方案，2026 年将推出 8800 CHAMEO Flex、Evo 1μm 等新品，满足 CoWoS、CPO、HBM 等复杂封装需求。

2.4 研发投入持续加码，2024 年研发支出占营收 13.0%，聚焦 50nm 精度混合键合、1μm 精度光子学贴装等前沿技术，维持研发领先地位。

2.5 运营模式灵活高效，具备高度柔性与可扩展的生产模型，能快速响应客户需求波动，同时通过通用部件、平台模块化优化成本，支撑毛利率与运营利润率提升。